삼성전자, 세계 최초 ‘5세대 V낸드’ 양산

[데이터뉴스=강동식 기자] 삼성전자(대표 김기남 김현석 고동진)는 세계 최초로 차세대 낸드 인터페이스를 적용해 업계 최고 속도를 구현한 ‘256Gb(기가비트) 5세대 V낸드’를 본격 양산한다고 10일 밝혔다.

삼성전자는 5세대 V낸드에 ▲초고속·저전압 동작 회로 설계기술 ▲고속 쓰기·최단 읽기응답 대기시간 회로 설계기술 ▲텅스텐 원자층박막 공정기술 등 자체 개발한 3대 혁신기술을 이용해 3차원 CTF 셀을 90단 이상 쌓아 세계 최고 적층기술을 상용화했다고 설명했다.

5세대 V낸드는 차세대 낸드 인터페이스 ‘Toggle DDR 4.0 규격’을 처음 적용한 제품으로, 초당 데이터 전송속도가 4세대 V낸드 대비 1.4배 빠르다.

회사 측은 이 제품에는 단층을 피라미드 모양으로 쌓고, 최상단에서 최하단까지 수직으로 수백나노미터 직경의 미세한 구멍을 뚫어 데이터를 저장하는 3차원(원통형) CTF 셀(CELL)을 850억 개 이상 형성하는 역대 최고 난이도의 기술이 적용됐다고 밝혔다.

특히 단수를 올리는데 비례해 높아지는 셀 영역의 높이를 20% 낮추는 독창적인 기술 개발로 4세대 제품에 비해 생산성을 30% 이상 높였다.

삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장 경계현 부사장은 “5세대 V낸드 적기 개발로 빠르게 성장하는 프리미엄 메모리 시장에서 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 선보이게 됐다”며 “향후 1Tb(테라비트)와 QLC(Quad Level Cell) 제품까지 V낸드 라인업을 확대해 차세대 메모리 시장의 변화를 더욱 가속화할 것”이라고 말했다.

삼성전자는 5세대 V낸드의 수요 확대에 맞춰 생산 비중을 빠르게 확대해 슈퍼컴퓨터부터 엔터프라이즈 서버, 모바일 시장까지 고용량화 트렌드를 계속 주도해 나갈 계획이라고 밝혔다.

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