SK하이닉스, EUV 활용 10나노급 4세대 D램 본격 양산

SK하이닉스는 10나노급 4세대 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) LPDDR4 모바일 D램의 양산을 시작했다고 12일 밝혔다.

반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있다. 1a는 4세대 기술이다. 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품은 하반기부터 스마트폰 제조사들에게 공급될 예정이다.

이 제품은 SK하이닉스의 D램 중 처음으로 EUV 공정 기술을 통해 양산된다. 앞서 SK하이닉스는 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인한 바 있다.

공정이 극도로 미세화되면서 반도체 기업들은 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 포토 공정에 EUV 장비를 잇따라 도입하고 있다. SK하이닉스는 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산하겠다는 입장이다.

또, SK하이닉스는 신제품의 생산성 향상으로 원가 경쟁력을 높이는 효과를 기대하고 있다. 1a D램은 이전 세대(1z) 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 늘어났다.  

SK하이닉스는 이번 LPDDR4 제품에 이어, 지난해 10월 세계 최초로 출시한 차세대 D램인 DDR5에는 내년 초부터 1a 기술을 적용할 계획이다.

이윤혜 기자 dbspvpt@datanews.co.kr