SK하이닉스, TSMC와 손잡고 HBM4 개발한다

SK하이닉스는 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔다. 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM)를 개발한다.

두 기업은 HBM 패키지 내 최하단에 탑재된 베이스 다이의 성능 개선에 나선다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤한다. TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 통하는 전극으로 연결하는 기술이다.

SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었지만 HBM4부턴 로직 선단 공정을 활용할 계획이라고 밝혔다. 이 다이를 생산하는 데 초미세공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문이다. SK하이닉스는 이를 통해 고객 맞춤형 HBM을 생산할 계획이다.

SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 CoWoS 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고 HBM 관련 고객 요청에 공동 대응에 나선다. CoWoS는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 공정으로 인터포저라는 특수 기판 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식이다. 

김주선 SK하이닉스 사장은 “TSMC와 힘을 합쳐 HBM4를 개발하고 개방형 협업에도 속도를 낼 것”이라며, “고객 맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 AI 메모리 프로바이더의 위상을 확고히 하겠다”고 말했다.

박혜연 기자 phy@datanews.co.kr