삼성전자-SK하이닉스, 올해 반도체 시설투자 증가 전망

[데이터뉴스=유성용 기자] 삼성전자(대표 권오현)가 작년에 이어 올해도 가장 많은 시설투자를 단행할 것으로 전망된다.

7일 시장조사기관 IC인사이츠에 따르면 삼성전자 반도체 부문의 올해 자본적 지출(CAPEX·시설투자) 전망치는 125억 달러(한화 약 14조5000억 원)로 작년보다 11% 늘어날 것으로 예상된다. 지난해에는 전년보다 13% 줄어든 113억 달러를 투자했다.

지난 1월 삼성전자는 작년에 반도체에 13조2000억 원의 시설투자비를 집행했고, 메모리와 시스템LSI의 비중은 약 8대2라고 밝혔다. 당시 올해 시설투자 규모는 확정하지 않았다며 공개하지 않았다.

2위는 세계 최대 마이크로프로세서 제조 기업인 인텔로 올해 120억 달러(약 14조 원)로 전망된다. 지난해 전년 대비 투자액을 31% 늘린 인텔은 올해도 25% 증가한 투자를 단행하게 된다.

3위는 세계 최대 반도체 수탁생산(파운드리) 업체인 대만의 TSMC로 작년보다 2% 줄어든 100억 달러(약 11조6000억 원)를 투자할 것으로 예상됐다.

SK하이닉스(부회장 박성욱)는 올해 60억 달러(약 7조 원)를 시설투자로 집행해 세계 4위로 전망된다. 지난해에는 전년보다 14% 줄어든 51억8천800만 달러(약 6조5000억 원)를 기록했다. 5위에서 4위로 순위는 한 계단 상승했다.

지난해 삼성전자와 SK하이닉스가 시설투자를 줄였던 것은 D램 시장의 약세 때문이다. 그러나 하반기부터 D램 시장이 성장세로 돌아섰고, 3D 낸드에 대한 투자가 늘면서 올해 전체적인 투자 규모는 늘어난 것으로 보인다.

삼성전자는 경기도 평택에 세계 최대 규모인 반도체단지를 짓고 있으며, 올해 중반부터 V-낸드를 양산할 계획이다. SK하이닉스 역시 올해 D램 투자는 줄이고 3D 낸드 생산량 확대를 위한 투자는 확대할 방침이다. 올해 시설투자 증가분은 경기도 이천 공장 M14의 클린룸 건설과 관련 인프라에 쓰인다.

한편 인텔과 삼성전자, TSMC는 메모리와 비메모리(시스템 반도체 등)를 아우르는 종합반도체(IDM) 순위에서 1∼3위를 차지한다.

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