SK하이닉스, 3세대 10나노급 DDR4 D램 개발

SK하이닉스는 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 개발했다고 21일 밝혔다.

단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존 D램 중 가장 크다. 2세대(1y) 제품보다 생산성이 27% 향상됐고, 초고가의 극자외선(EUV, Extreme Ultraviolet) 노광 공정 없이도 생산할 수 있어 원가경쟁력도 갖췄다.

데이터 전송속도는 DDR4 규격의 최고속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다. 전력 효율도 대폭 높여 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 40% 줄였다.

특히 3세대 제품은 이전 세대 생산공정에 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량(Capacitance, 전하를 저장할 수 있는 양)을 극대화했다. 새로운 설계기술을 도입해 동작 안정성도 높였다.

SK하이닉스는 연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 대응할 계획이다.

SK하이닉스는 또 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3(High Bandwidth Memory3) 등 다양한 응용처에 3세대 10나노급 미세공정기술을 적용해나갈 방침이다.

강동식 기자 lavita@datanews.co.kr