▲삼성전자의 EUV 전용 반도체 생산라인 ‘V1 라인’ / 사진=삼성전자
삼성전자가 업계 최초로 D램에 EUV(Extreme Ultra Violet) 공정을 적용해 양산체제를 갖췄다.
삼성전자는 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급 DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 100만 개 이상을 공급해 글로벌 고객의 평가를 완료했다고 25일 밝혔다.
이로써 삼성전자는 메모리 업계 최초로 차세대 D램 제품부터 EUV 공정을 전면 적용해 반도체 미세공정의 한계를 돌파할 채비를 갖추고 D램의 새로운 패러다임을 제시했다.
EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄이면서 패터닝 정확도를 높이게 돼 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발기간을 단축할 수 있다.
삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 4세대 10나노급(1a) D램 양산기술을 개발하고 있다. 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 예정이다.
EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급 D램은 1세대 10나노급(1x) D램보다 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높여 사업 경쟁력을 더 강화할 수 있게 됐다.
삼성전자는 내년에 성능과 용량을 더욱 높인 4세대 10나노급 D램(DDR5, LPDDR5)을 양산하고 5세대, 6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서의 기술 리더십을 더 강화한다는 전략이다.
한편, 삼성전자는 올해 하반기 평택 신규 라인을 가동함으로써 증가하는 차세대 프리미엄 D램 수요에 안정적으로 대응할 수 있는 양산체제를 구축할 계획이다.
강동식 기자 lavita@datanews.co.kr
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