삼전닉스, D램 주도권 유지…CXMT 추격 속도↑

삼성·SK하이닉스, D램 시장 63% 장악…CXMT 점유율 4%→10%, 서버용 DDR5 진입 예고

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박혜연 기자

phy@datanews.co.kr | 2026.10.20 08:42:32

[그래픽=데이터뉴스가 추출한 데이터를 기반으로 AI가 생성]

삼성전자와 SK하이닉스가 인공지능(AI)·서버 수요 확대에 힘입어 메모리 시장에서 높은 실적과 점유율을 이어가고 있다. 다만 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 D램 점유율을 빠르게 높인 데 이어 서버용 D램 시장 진입까지 예고하면서 향후 경쟁구도가 주목된다.

20일 데이터뉴스가 카운터포인트리서치의 글로벌 메모리 시장 자료를 분석한 결과, 올해 2분기 글로벌 D램 매출 점유율은 삼성전자가 38%로 가장 높았다. SK하이닉스가 25%로 뒤를 이으며 두 회사의 합산 점유율은 63%를 기록했다. 마이크론은 24%, CXMT는 10%였다.

국내 메모리 기업들은 실적도 높은 수준을 이어가고 있다. 삼성전자는 올해 3분기 연결 기준 매출 195조 원, 영업이익 107조4000억 원의 잠정실적을 발표했다. SK하이닉스도 증권가에서 3분기 매출 97조~99조 원, 영업이익 75조~79조 원의 사상 최대 실적을 예상하고 있다. AI 데이터센터를 중심으로 고대역폭메모리(HBM)와 서버 D램 수요가 이어지고 있는 영향이다.

시장 주도권은 여전히 삼성전자와 SK하이닉스가 쥐고 있지만, CXMT의 점유율 상승세도 뚜렷하다. CXMT의 글로벌 D램 매출 점유율은 지난해 2분기 4%에서 올해 1분기 8%, 2분기 10%로 1년 만에 6%p 상승했다. 같은 기간 삼성전자는 33%에서 38%, 마이크론은 22%에서 24%로 높아졌고 SK하이닉스는 39%에서 25%로 낮아졌다.

CXMT는 최근 범용·모바일 중심의 제품군을 서버용으로 넓히겠다는 계획도 내놨다. 지난 10일 열린 제4회 집적회로·칩렛 콘퍼런스에서 연내에 차세대 4F² 구조를 적용한 서버용 DDR5 RDIMM을 선보이겠다고 밝혔다.

4F²는 현재 주로 사용되는 6F²보다 셀 면적을 줄이는 차세대 구조다. 미래에셋증권에 따르면, 4F² 셀은 6F²보다 면적이 33% 작아 선폭을 줄이지 않고도 동일 면적에 셀을 30~50% 더 배치할 수 있다. 극자외선(EUV) 노광장비 도입이 제한된 CXMT가 미세화 대신 셀 구조 변경으로 집적도를 높일 수 있는 경로라는 평가다.

미래에셋증권은 CXMT가 2021년부터 수직 채널 트랜지스터와 웨이퍼 본딩 등 4F² 핵심 기술을 단계적으로 검증해왔다며 이번 발표가 연구단계를 넘어 제품화 단계에 진입했다는 점에서 의미가 있다고 분석했다. 다만 연말 선보일 제품은 양산 검증용 초기 물량에 그칠 가능성이 높고, 본격적인 양산 확대는 2028년부터 가능할 것으로 전망했다.

국내 업체와의 기술격차가 단기간에 좁혀질 가능성은 낮다는 분석도 나온다. KB증권은 삼성전자와 CXMT의 D램 공정 기술격차를 양산 시점 기준 5~7년으로 추정했다. CXMT의 4F² 공개는 기술적 진전이지만 실제 시장 경쟁력으로 이어지려면 성능과 수율, 원가 경쟁력, 고객사 인증, 대량양산 능력 등에 대한 검증이 필요하다고 평가했다. 삼성전자는 2023년 이미 4F² 기반 수직 채널 트랜지스터를 구현한 바 있으나 현재 수요가 없어 시장이 형성되지 않은 상태다.

다만 CXMT의 높은 수익성은 향후 투자 여력 측면에서 주목된다. 니혼게이자이신문에 따르면, CXMT의 올해 2분기 영업이익률은 82%로, 6개 주요 메모리 기업 가운데 가장 높았다. SK하이닉스는 76%, 삼성전자 반도체 사업은 70%였고 마이크론은 3~5월 기준 80%를 기록했다.

박혜연 기자 phy@datanews.co.kr