삼성전자, 메모리 용량 4배 향상시킨 '512GB CXL D램' 개발

삼성전자는 업계 최초로 고용량 512GB CXL D램을 개발했다고 10일 밝혔다.

삼성전자는 지난해 5월 세계 최초로 CXL 기반 D램 기술을 개발하고 데이터센터, 서버, 칩셋 업체들과 평가를 해왔으며, 이번에 기존 대비 메모리 용량을 4배 향상시킨 512GB CXL D램을 개발했다. 또 ASIC(주문형 반도체) 기반의 컨트롤러를 탑재해 데이터 지연시간을 기존 제품 대비 1/5로 줄였다.

이번 제품은 PCIe 5.0을 지원하며, 대용량 SSD에 적용되는 EDSFF(Enterprise & Data Center Standard Form Factor) 폼팩터가 적용돼 기존 컴퓨팅 시스템의 D램 용량을 획기적으로 확장할 수 있다.

최근 메타버스, 인공지능, 빅데이터 등 폭발적으로 증가하는 데이터 양에 비해 기존의 DDR 인터페이스는 시스템에 탑재할 수 있는 D램 용량에 한계가 있어 CXL D램과 같은 차세대 메모리 솔루션에 대한 요구가 지속되고 있다.

삼성전자가 이번에 고용량 CXL D램을 개발함에 따라 메인 D램과 더불어 서버 한 대당 메모리 용량을 수십 테라바이트 이상으로 확장할 수 있게 됐다.

삼성전자는 이 달 '스케일러블 메모리 개발 키트(Scalable Memory Development Kit, SMDK)'의 업데이트 버전을 오픈소스로 추가 공개해 개발자들이 다양한 응용 환경에서 CXL D램 기술을 활용하는 프로그램을 빠르고 쉽게 개발할 수 있게 할 계획이다.

한편, 삼성전자는 CXL 컨소시엄 이사회에 참여해 글로벌 주요 데이터센터, 서버, 칩셋 업체들과 차세대 인터페이스 기술 개발을 위한 협력을 확대하고 있다. 3분기부터 주요 고객과 파트너들에게 512GB CXL D램 샘플을 제공할 계획이다.

이윤혜 기자 dbspvpt@datanews.co.kr