삼성전자, 업계 최초 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발

삼성전자는 업계 최초로 12나노급 32Gb(기가 비트) DDR5 D램을 개발했다고 1일 밝혔다. 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다.

1983년 64Kb(킬로비트) D램을 개발한 삼성전자는 2023년 32Gb D램 개발로 40년 만에 D램의 용량을 50만 배 늘리는 성과를 거뒀다.

삼성전자는 지난 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한데 이어 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공하며 D램 미세공정 경쟁에서 기술 리더십을 더 공고히 했다.

특히 이번 32Gb 제품은 동일 패키지 크기에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현해 128GB(기가바이트) 모듈을 TSV 공정없이 제작할 수 있게 됐다.

또 동일 128GB 모듈 기준, 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 소비전력을 약 10% 개선해 데이터센터 등 전력 효율이 중요한 IT 기업들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.

삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 계속 확대할 계획이다. 또 인공지능(AI) 시대를 주도할 고용량, 고성능, 저전력 제품들로 글로벌 IT 기업들과 협력해 차세대 D램 시장을 견인할 예정이다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다"며 "삼성전자는 향후에도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것"이라고 말했다.

삼성전자는 12나노급 32Gb DDR5 D램을 연내 양산할 계획이다.

이윤혜 기자 dbspvpt@datanews.co.kr