▲SK하이닉스가 개발한 업계 최고속 HBM2E D램 / 사진=SK하이닉스
SK하이닉스가 업계 최고속 ‘HBM2E’ D램 개발에 성공했다고 12일 밝혔다.
HBM2E는 기존 D램보다 데이터 처리속도를 혁신적으로 끌어올린 HBM D램의 차세대 제품으로, 이전 규격인 HBM2에 비해 처리 속도를 50% 높였다.
SK하이닉스가 개발한 HBM2E는 초당 3.6Gb 처리속도를 구현할 수 있어 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460GB의 데이터 처리가 가능하다.
이는 FHD급 영화(3.7GB) 124편 분량의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다. 용량은 단일 제품 기준으로 16Gb 칩 8개를 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 16GB를 구현했다.
HBM2E는 초고속 특성이 필요한 고성능 GPU를 비롯해 머신러닝과 슈퍼컴퓨터, 인공지능(AI) 등 4차산업 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션이다.
강동식 기자 lavita@datanews.co.kr