삼성전자, 업계 최초 '9세대 V낸드' 양산

삼성전자는 업계 최초로 '1Tb TLC(Triple Level Cell, 하나의 셀에 3bit 데이터를 기록할 수 있는 구조) 9세대 V낸드' 양산을 시작했다고 23일 밝혔다.

 

삼성전자는 업계 최소 크기 셀과 최소 몰드 두께를 구현해 1Tb TLC 9세대 V낸드의 비트 밀도(단위 면적당 저장되는 비트 수)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다고 설명했다.

더미 채널 홀(Cell Array에서 Plane을 구분하기 위해 만들어진 동작을 수행하지 않는 채널 홀) 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였다. 또 셀크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했다.

 

삼성전자는 9세대 V낸드가 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이며, '채널 홀 에칭' 기술로 한 번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신으로 생산성도 향상됐다고 밝혔다.

채널 홀 에칭은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 특히 적층 단수가 높아져 한 번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가하기 때문에 정교화∙고도화가 요구된다.

9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 가진다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다.

PCIe(Peripheral Component Interconnect Express)은 기존 SATA 전송 속도의 성능 한계를 극복한 고속 인터페이스 규격이다. PCIe 5.0은 기존 PCIe 4.0 대비 대역폭이 2배로 커진 32GT/s를 지원하는 차세대 PCIe 통신규격이다.

또 9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐다. 삼성전자는 환경 경영과 에너지 비용 절감에 집중하는 고객에게 최적의 솔루션이 될 것으로 보 있다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장은 “낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량∙고성능 제품에 대한 니즈가 높아져 기술 혁신로 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”며 “9세대 V낸드로 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것”이라고 말했다.

삼성전자는 TLC 9세대 V낸드에 이어 올해 하반기 ‘QLC( 하나의 셀에 4bit 데이터를 기록할 수 있는 구조) 9세대 V낸드’도 양산할 예정이며, 인공지능(AI) 시대에 요구되는 고용량∙고성능 낸드플래시 개발에 박차를 가할 계획이다.

박혜연 기자 phy@datanews.co.kr