SK하이닉스는 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 개발했다고 21일 밝혔다.단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존 D램 중 가장 크다. 2세대(1y) 제품보다 생산성이 27% 향상됐고, 초고가의 극자외선(EUV, Extreme Ultraviolet) 노광 공정 없이도 생산할…
-
2019.10.21 11:02:00
|